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    三星十代V-NAND 直接430層
    
      
    
        
     2023-01-19 07:02:18來源：中關村在線  
    
        
         
    
        
    
         
      
    
      
    
      
       
      		  
	 
        
     

    (資料圖片)
    據韓媒 The Elec 消息，三星將加速 3D NAND 堆疊進程，正在討論將預計 2025-2026 年量產的第十代 V-NAND 的堆疊層數跳至 430 層級。
    三星此前宣布到 2030 年開發出 1000 層 V-NAND 閃存，同時，下一代 V-NAND 路線圖的輪廓也逐漸浮出水面。
    據報道，三星計劃 2024 年量產的第九代 V-NAND 將在 280 層 3D NAND范圍內。對于定于 2025-2026 年量產的第十代 V-NAND，三星正在討論跳過 300 層直接進入 430 層。
    2013 年出現的第一代 V-NAND 是 24 層。此后又推出了第二代 32 層、第三代 48 層、第四代64 層、第五代 92 層、第六代 128 層、第七代 176 層。每一代都經歷了大約 1 年到 1 年零 6 個月的量產。
    三星于 2022 年 11 月宣布量產了第八代 V-NAND，其堆疊層數為 236 層。據介紹，第八代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。
    		
          
    
		  
	
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